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行業(yè)背景
淺析新能源汽車中電機驅(qū)動
淺析新能源汽車中電機驅(qū)動

電機驅(qū)動控制器作為新能源汽車中連接電池與電機的電能轉(zhuǎn)換單元,是電機驅(qū)動及控制系統(tǒng)的核心。其中高性能功率半導(dǎo)體器件、智能門極驅(qū)動技術(shù)以及器件級集成設(shè)計方法的應(yīng)用,將有助于實現(xiàn)高功率密度、低損耗、高效率電機控制器設(shè)計;同時,高性能、高可靠電機控制器產(chǎn)品,還要求具有高標(biāo)準(zhǔn)電磁兼容性(EMC)、功能安全和可靠性設(shè)計。

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我國地大物博,但是人均資源較匱乏、石化能源大量依賴進口、單位 GDP 能耗高,因此發(fā)展高效率的、基于電驅(qū)動技術(shù)的新能源汽車對我國能源安全具有重要的戰(zhàn)略意義。同時,我國車用內(nèi)燃機技術(shù)和西方發(fā)達國家一線廠商仍存在較大的差距,在未來 10 年內(nèi)將難以實現(xiàn)趕超??紤]到我國當(dāng)前電驅(qū)動技術(shù)和西方發(fā)達國家整體差距不大,因而大力發(fā)展基于電驅(qū)動技術(shù)的新能源汽車將是我國車企趕超西方一線車企、實現(xiàn)彎道超車的重要機遇。未來的 5 至 10 年,新能源汽車將進入黃金發(fā)展期,我國作為世界上最大的汽車市場,將面臨新一輪產(chǎn)業(yè)界洗牌。

對新能源汽車而言,電池技術(shù)、電機技術(shù)、電機控制器技術(shù)被稱為新能源汽車關(guān)鍵三電技術(shù)。在當(dāng)前電池技術(shù)未能取得突破的前提下,提高電機驅(qū)動系統(tǒng)的效率、功率密度、安全性與可靠性成為新能源汽車電機驅(qū)動系統(tǒng)的主要研究方向,也是我國政府和企業(yè)進行政策制定和未來發(fā)展規(guī)劃的重點對象。

  二、驅(qū)動控制器關(guān)鍵技術(shù)

  電機驅(qū)動控制器作為新能源汽車中連接電池與電機的電能轉(zhuǎn)換單元,是電機驅(qū)動及控制系統(tǒng)的核心。其中高性能功率半導(dǎo)體器件、智能門極驅(qū)動技術(shù)以及器件級集成設(shè)計方法的應(yīng)用,將有助于實現(xiàn)高功率密度、低損耗、高效率電機控制器設(shè)計;同時,高性能、高可靠電機控制器產(chǎn)品,還要求具有高標(biāo)準(zhǔn)電磁兼容性(EMC)、功能安全和可靠性設(shè)計。

  (一)功率半導(dǎo)體器件技術(shù)

  電機控制器的發(fā)展以功率半導(dǎo)體器件為主線,正從硅基絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)、傳統(tǒng)單面冷卻封裝技術(shù),向?qū)捊麕О雽?dǎo)體(如 SiC、GaN 等)、定制化模塊封裝、雙面冷卻集成等方向發(fā)展。同時,得益于成熟的技術(shù)迭代,以及相比于寬禁帶半導(dǎo)體器件更低的成本,硅基 IGBT 仍然是當(dāng)前與未來較長時間內(nèi)電機控制器產(chǎn)品的主要選擇。

  在硅基 IGBT 芯片技術(shù)上,英飛凌科技公司針對新能源汽車市場高功率密度需求,已研發(fā)出 EDT2芯片技術(shù),實現(xiàn)了 750V/270A IGBT 芯片量產(chǎn),富士集團等日本廠商也都相繼研發(fā)出了高功率密度 IGBT芯片技術(shù),并已批量應(yīng)用于汽車 IGBT 模塊產(chǎn)品。此外,與硅基器件(如 IGBT、MOSFET 等)相比,SiC 器件屬于第三代半導(dǎo)體材料功率器件,具有高熱導(dǎo)率、耐高溫、禁帶寬度大、擊穿場強高、飽和電子漂移速率大等優(yōu)勢,結(jié)溫耐受可以達到 225 ℃甚至更高,遠(yuǎn)高于當(dāng)前硅基 IGBT 175 ℃的最高應(yīng)用結(jié)溫。SiC 器件開關(guān)速度更快,可應(yīng)用于更高的開關(guān)頻率,更適用于高速電機的控制。同時,相比硅基 IGBT,SiC 器件的開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗均大幅降低,有助于降低整車百千米耗電量,提升整車?yán)m(xù)航里程 。但是當(dāng)前 SiC 器件成本仍遠(yuǎn)高于硅基IGBT,這成為阻礙 SiC 器件推廣的重要因素。

  同時,銅線鍵合、芯片倒裝、銀燒結(jié)、瞬態(tài)液相焊接等新型封裝技術(shù)可以提高 IGBT 功率模塊的載流密度與壽命,因此也成為當(dāng)前的研究熱點。目前,電裝、德爾福、英飛凌、株洲中車時代電氣股份有限公司等已研制出基于雙面冷卻的 IGBT 模塊與電機控制器產(chǎn)品,部分已隨整車產(chǎn)品獲得批量應(yīng)用。基于硅基 IGBT 的電機控制器設(shè)計在未來相當(dāng)長一段時間內(nèi)仍將為市場的主流選擇,硅基 IGBT器件芯片與功率模塊封裝技術(shù)將在不斷的優(yōu)化迭代中獲得提升。

  (二)智能門極驅(qū)動技術(shù)

  門極驅(qū)動技術(shù)是電機控制器中高壓功率半導(dǎo)體器件和低壓控制電路的紐帶,是驅(qū)動功率半導(dǎo)體器件的關(guān)鍵。IGBT 門極驅(qū)動除具有基本的隔離、驅(qū)動和保護功能外,還需結(jié)合 IGBT 自身特性,精確地控制開通和關(guān)斷過程,使 IGBT 在損耗和電磁干擾(EMI)之間取得最佳的折衷 。

  智能門極驅(qū)動的兩大主要特點分別為:主動門極控制和監(jiān)控診斷功能。主動門極控制是根據(jù)工作運行環(huán)境和工況,對 IGBT 開關(guān)過程進行主動精細(xì)化最優(yōu)控制的一種方法。主動門極控制技術(shù)是當(dāng)前 IGBT應(yīng)用領(lǐng)域的研究熱點,其基本思路是把 IGBT 開通過程和關(guān)斷過程分別劃分為幾個不同的階段,針對某一問題只需對相應(yīng)的階段進行獨立的門極調(diào)控,對其他參數(shù)產(chǎn)生很小的(甚至不產(chǎn)生)負(fù)面影響 。

  綜上所述,智能門極驅(qū)動的應(yīng)用,將有助于充分發(fā)揮功率半導(dǎo)體器件性能,如降低損耗、提升電壓利用率等,并實現(xiàn)功率半導(dǎo)體器件的健康狀態(tài)在線評估,滿足電機控制器高安全性、高可靠性設(shè)計的目標(biāo)。

  (三)功率組件的集成設(shè)計

  國際上典型的電機控制器產(chǎn)品為適應(yīng)新能源汽車高功率密度、長壽命與高可靠性的要求,大多數(shù)的功率半導(dǎo)體模塊封裝均為定向設(shè)計 ,功率半導(dǎo)體器件與其他電子部件之間的界限日趨融合,基于器件的集成設(shè)計已成為新能源汽車電機控制器發(fā)展的新趨勢。

  器件級集成設(shè)計技術(shù)主要分為物理集成與需求集成設(shè)計。物理集成設(shè)計是通過研究電機各個器件之間物理結(jié)構(gòu)的集成設(shè)計方法,實現(xiàn)寄生參數(shù)、散熱、機械強度等的平衡優(yōu)化,實現(xiàn)機、電、熱、磁等的最優(yōu)設(shè)計,最終達到電機控制器高功率密度、高可靠性的設(shè)計目標(biāo)。需求集成設(shè)計技術(shù)是指將整車和電驅(qū)動系統(tǒng)需求向前延伸至 IGBT 芯片設(shè)計、功率模塊封裝領(lǐng)域,根據(jù)整車設(shè)計與性能需求,建立以整車需求為導(dǎo)向,由系統(tǒng)向核心零部件自上而下的優(yōu)化設(shè)計方法。其所帶來的優(yōu)勢將是整車?yán)m(xù)航里程的增加或電池容量需求的降低。

  (四)其他關(guān)鍵技術(shù)

  除上文所述三大關(guān)鍵技術(shù)以外,還有下述幾個關(guān)鍵技術(shù)需要在未來的新能源汽車產(chǎn)業(yè)引起重視。

  (1)EMC 與可靠性設(shè)計也是實現(xiàn)新能源汽車電機控制器產(chǎn)業(yè)化的關(guān)鍵技術(shù)。EMC 與可靠性設(shè)計是評價電力電子產(chǎn)品的關(guān)鍵指標(biāo)。進行更有效的EMC 設(shè)計是業(yè)內(nèi)一直在追尋的目標(biāo)。其中,基于有限元分析的方法建立“元件 – 部件 – 控制器”的EMC 高頻仿真模型,研究失效機理,并結(jié)合試驗驗證,最終實現(xiàn)電磁兼容的正向設(shè)計,將逐漸成為主流的技術(shù)路線。

  (2)汽車功能安全設(shè)計可以消除或顯著降低由電子與電氣系統(tǒng)的功能異常而引起的各類整車安全風(fēng)險。當(dāng)前電機控制器功能安全需求多為 ASIL C等級,但在未來,電機控制器功能安全需求或?qū)⑻嵘秊?ASIL D 級,這需要復(fù)雜度更高、冗余性更強、可靠性指標(biāo)更高的電機控制器產(chǎn)品設(shè)計 。

  (3)電機控制器產(chǎn)品的可靠性設(shè)計。電機控制器作為新能源汽車的核心驅(qū)動單元,其可靠性指標(biāo)直接影響著整車的駕乘體驗與市場口碑。德國和美國汽車電子廠商聯(lián)合提出了魯棒性驗證(RV)方法 ,該方法已經(jīng)被英飛凌科技公司、博世集團廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體分立器件的可靠性設(shè)計分析,對于諸如電機控制器等的復(fù)雜系統(tǒng),其適用性與有效性還在進一步探索中


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